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首页 全部分类 MT40A512M8RH-083E:B vs MT41K512M8DA-107:P

MT40A512M8RH-083E:B备选型号: MT41K512M8DA-107:P

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
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  • 内存大小
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  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
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  • 组织结构
  • 内存宽度
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  • 密度
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 高度
  • Micron Technology Inc.
    MT40A512M8RH-083E:B
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
    4 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    78-TFBGA
    78
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    2016
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    1.2V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    4Gb 512M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    1.2GHz
    833 ps
    DRAM
    Parallel
    8b
    512MX8
    8
    15b
    4 Gb
    1.26V
    1.14V
    10.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT41K512M8DA-107:P
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
    -
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    78-TFBGA
    78
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    1.35V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    4Gb 512M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    933MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    8b
    512MX8
    8
    16b
    4 Gb
    1.45V
    1.283V
    10.5mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.2mm
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