注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E:B

Name: MT40A256M16GE-083E:B
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT40A256M16GE-083E:B
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

MT40A256M16GE-083E:B

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT40A256M16GE-083E:B

商品类别

存储器

封装

96-TFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表

MT40A256M16GE-083E:B Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

请发送询价，我们将立即回复。

库存:2334

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

MT40A256M16GE-083E:B详情

技术参数

型号对比

Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E:B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
触点镀层

Copper, Silver, Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

96-TFBGA
引脚数

96
Memory Types

Volatile
操作温度

0°C~95°C TC
包装

Tray
已出版

2016
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

96
ECCN 代码

EAR99
附加功能

AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电

1.14V~1.26V
端子位置

BOTTOM
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
功能数量

1
电源电压

1.2V
端子间距

0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
工作电源电压

1.2V
电源电压-最大值(Vsup)

1.26V
电源电压-最小值(Vsup)

1.14V
内存大小

4Gb 256M x 16
端口的数量

1
操作模式

SYNCHRONOUS
时钟频率

1.2GHz
访问时间

833 ps
内存格式

DRAM
内存接口

Parallel
数据总线宽度

16b
组织结构

256MX16
内存宽度

16
地址总线宽度

15b
密度

4 Gb
高度

1.2mm
长度

14mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

MT40A256M16GE-083E:B拓展信息

热销零件