您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 MT41K1G4DA-107:P vs MT41K512M8DA-107:P

MT41K1G4DA-107:P备选型号: MT41K512M8DA-107:P

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 高度
  • Micron Technology Inc.
    MT41K1G4DA-107:P
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    78-TFBGA
    78
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.35V
    0.8mm
    1.35V
    1.45V
    1.283V
    4Gb 1G x 4
    1
    SYNCHRONOUS
    933MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    4b
    1GX4
    4
    16b
    4 Gb
    10.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT41K512M8DA-107:P
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    78-TFBGA
    78
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.35V
    0.8mm
    1.35V
    1.45V
    1.283V
    4Gb 512M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    933MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    8b
    512MX8
    8
    16b
    4 Gb
    10.5mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2015
    未说明
    未说明
    1.2mm
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IS43TR85120A-125KBL IS43TR85120A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 78-TFBGA DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TWBGA 对比