ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-125KBL
- 收藏
- 对比
IS43TR85120A-125KBL
1266-IS43TR85120A-125KBL
存储器
78-TFBGA
大陆
立即发货

DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TWBGA
--最小包装量--
IS43TR85120A-125KBL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-125KBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
78-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
78
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.425V~1.575V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.5V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
工作电源电压
1.5V
电源电压-最大值(Vsup)
1.575V
电源电压-最小值(Vsup)
1.425V
内存大小
4Gb 512M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
16b
密度
4 Gb
待机电流-最大值
0.018A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43TR85120A-125KBL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc









哦! 它是空的。