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首页 全部分类 MT47H64M16U88BWC1 vs IS43DR16640C-25DBLI

MT47H64M16U88BWC1备选型号: IS43DR16640C-25DBLI

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  • 引脚数
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
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  • 资历状况
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  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 最高频率
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Micron Technology Inc.
    MT47H64M16U88BWC1
    Micron Technology Inc.
    DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V
    12 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    Bulk
    不用于新设计
    85°C
    0°C
    1.8V
    16b
    13b
    1 Gb
    符合RoHS标准
    -
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  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43DR16640C-25DBLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
    8 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    Tray
    活跃
    -
    -
    1.8V
    16b
    13b
    1 Gb
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    e1
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    锡银铜
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.8mm
    10
    不合格
    1.9V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    400ps
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    0.025A
    400MHz
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
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