MT48LC4M32B2B5-6A:L备选型号: IS42S32400F-6BL
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- 端子表面处理
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- 电压 - 供电
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- 基本部件号
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- 内存大小
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- 组织结构
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- 最大结点温度(Tj)
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 座位高度(最大)
- DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin VFBGA4 Weeks表面贴装表面贴装90-VFBGA90Volatile0°C~70°C TABulk2014e1Obsolete3 (168 Hours)90EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.023V~3.6VBOTTOM26013.3V0.8mm30MT48LC4M32B2903.3V3.6V3V128Mb 4M x 321120mA167MHz5.4nsDRAMParallel32b4MX323212ns14b128 Mb85°C70°C1mm13mm无ROHS3 Compliant无铅-------
- DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA8 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile0°C~70°C TATray--活跃3 (168 Hours)90EAR99-AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.023V~3.6VBOTTOM-13.3V0.8mm--903.3V3.6V3V128Mb 4M x 321150mA166MHz5.4nsDRAMParallel32b4MX3232-14b128 Mb---13mm无ROHS3 Compliant-3-STATE0.002ACOMMON40961248FP12481.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S32400F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42S32400F-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin WBGA | 对比 |



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