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首页 全部分类 MT8HTF25664HZ-800C1 vs MT4HTF6464HZ-800H1

MT8HTF25664HZ-800C1备选型号: MT4HTF6464HZ-800H1

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  • 端子表面处理
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  • 功能数量
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  • 温度等级
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  • 输出特性
  • 内存宽度
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  • I/O类型
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Micron Technology Inc.
    MT8HTF25664HZ-800C1
    Micron Technology Inc.
    DRAM Module DDR2 SDRAM 2Gbyte 200SODIMM
    5 Weeks
    Socket
    200-SODIMM
    200
    DDR2 SDRAM
    2014
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    70°C
    0°C
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    2GB
    800MT/s
    64b
    800MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT4HTF6464HZ-800H1
    Micron Technology Inc.
    DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMM
    -
    Socket
    200-SODIMM
    200
    DDR2 SDRAM
    2010
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    70°C
    0°C
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    512MB
    800MT/s
    64b
    800MHz
    ROHS3 Compliant
    e3
    yes
    200
    Matte Tin (Sn)
    SELF REFRESH; WD-MAX
    ZIG-ZAG
    260
    1
    1.8V
    0.6mm
    30
    COMMERCIAL
    1
    900 ns
    3-STATE
    64
    0.028A
    COMMON
    8192
    67.6mm
    30.15mm
    无
    无铅
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