MT9HTF12872PZ-80EM1备选型号: MT18JSF51272AZ-1G6K1
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- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 温度等级
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 速度
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 最高频率
- 访问模式
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- 终端形式
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 操作模式
- DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte 240RDIMM5 Weeks240-RDIMMNO240DDR2 SDRAM2014Obsolete3 (168 Hours)240EAR9970°C0°CPROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX8542.32.00.36DUAL26011.8V1mm301.8V1.9VCOMMERCIAL1.7V1GB1800MT/s72b128MX72729663676416 bit400MHz单库页面突发133.35mm30.5mm无ROHS3 Compliant-----
- DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 240UDIMM3 Weeks240-UDIMM-240DDR3 SDRAM2015最后一次购买3 (168 Hours)240-70°C0°CAUTO/SELF REFRESH; WD-MAX-DUAL-11.5V1mm-1.5V-COMMERCIAL-4GB11600MT/s72b512MX727238654705664 bit1.6GHz双库页面突发133.35mm30.5mm-ROHS3 CompliantSocket无铅1.575V1.425VSYNCHRONOUS
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT16JTF51264AZ-1G6K1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 240-UDIMM | MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240UDIMM | 对比 |
![]() | MT18JSF51272AZ-1G6K1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 240-UDIMM | DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 240UDIMM | 对比 |




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