MT9JSF25672AZ-1G4K1备选型号: MT8HTF12864AZ-800H1

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  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 电源电压-最大值(Vsup)
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  • 内存大小
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  • 组织结构
  • 内存宽度
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
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  • 底架
  • 端子间距
  • 工作电源电压
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
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  • 数据总线宽度
  • 输出特性
  • 最高频率
  • 访问时间(最大)
  • I/O类型
  • 辐射硬化
  • Micron Technology Inc.
    DRAM Module DDR3 SDRAM 2Gbyte 240UDIMM
    240-UDIMM
    NO
    240
    DDR3 SDRAM
    2012
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    240
    EAR99
    GOLD
    70°C
    0°C
    AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
    8542.32.00.36
    DUAL
    无铅
    1
    1.5V
    240
    1.575V
    COMMERCIAL
    1.425V
    2GB
    1
    1333MT/s
    SYNCHRONOUS
    256MX72
    72
    19327352832 bit
    单库页面突发
    133.35mm
    30.5mm
    2.7mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
    240-UDIMM
    -
    240
    DDR2 SDRAM
    2010
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    240
    EAR99
    Gold (Au)
    70°C
    0°C
    AUTO/SELF REFRESH
    -
    DUAL
    -
    1
    1.8V
    240
    -
    COMMERCIAL
    -
    1GB
    1
    800MT/s
    -
    -
    64
    -
    单库页面突发
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Socket
    1mm
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    400MHz
    64b
    3-STATE
    800MHz
    0.4 ns
    COMMON
    无
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