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MTB50P03HDLT4G备选型号: IRL3103STRLPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhmACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)17 WeeksTin表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9925MOhm雪崩 额定-30V鸥翼260-50A403R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125WDRAIN22 nsP-ChannelSWITCHING25m Ω @ 25A, 5V2V @ 250μA4900pF @ 25V100nC @ 5V340ns30V±15V218 ns50A1.5V15V-30V4.83mm10.29mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-12 WeeksTin表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON64A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004e3-不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9912MOhm雪崩 额定30V鸥翼26064A30-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 34A, 10V1V @ 250μA1650pF @ 25V33nC @ 4.5V120ns-±16V9.1 ns64A-16V30V4.826mm10.668mm9.65mm-无ROHS3 Compliant含铅表面贴装HEXFET®220A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB55NF03LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 55 Amp | 对比 |
| IRL3103SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK | 对比 |
 | NDB6030PL | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET P-CH 30V 30A 3-Pin(2 Tab) D2PAK | 对比 |
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