MTM763200LBF备选型号: MCH6660-TL-W
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 端子位置
- 配置
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 无铅
- MOSFET, NP-CH, 20V, WSMINI6-F1-B10 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads6SILICON1.9A 1.2A150°C TJTape & Reel (TR)e6活跃1 (Unlimited)6EAR99锡铋700mW未说明unknown未说明MTM76320Dual增强型MOSFET700mWN and P-ChannelSWITCHING105m Ω @ 1A, 4V1.3V @ 1mA280pF @ 10V20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.2A10V1.9A0.105Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard850 mV600μm2mm1.7mm无SVHC符合RoHS标准------
- MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH67 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads6SILICON2A 1.5A150°C TJTape & Reel (TR)e6活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mW未说明-未说明--增强型MOSFET-N and P-ChannelSWITCHING136m Ω @ 1A, 4.5V1.3V @ 1mA128pF @ 10V20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.5A10V2A-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 1.8V Drive-----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)yesDUALSEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE1.8nC @ 4.5V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHD4N02FT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky | 对比 |
| EMH2801-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 20V 3A EMH8 | 对比 |




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