MTM763200LBF备选型号: MCH6660-TL-W

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 无铅
  • Panasonic Electronic Components
    MOSFET, NP-CH, 20V, WSMINI6-F1-B
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    1.9A 1.2A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铋
    700mW
    未说明
    unknown
    未说明
    MTM76320
    Dual
    增强型MOSFET
    700mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 1A, 4V
    1.3V @ 1mA
    280pF @ 10V
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.2A
    10V
    1.9A
    0.105Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    850 mV
    600μm
    2mm
    1.7mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    2A 1.5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    136m Ω @ 1A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    128pF @ 10V
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.5A
    10V
    2A
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 1.8V Drive
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    yes
    DUAL
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.8nC @ 4.5V
    无铅
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