Panasonic Electronic Components MTM763200LBF

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.9A 1.2A

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e6

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

最大功率耗散

700mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MTM76320

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 1A, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.2A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.105Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

栅源电压

850 mV

高度

600μm

长度

2mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准