MTMC8E280LBF备选型号: RQ1C075UNTR
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 供应商器件包装
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI88-SMD, Flat Lead表面贴装表面贴装WMini8-F17A2008Tape & Reel (TR)150°C TJObsolete1 (Unlimited)1WMTMC8E281W2 N-Channel (Dual)21mOhm @ 2A, 4.5V1.3V @ 1mA1500pF @ 10V20V7A1.5nFStandard21 mΩ符合RoHS标准----------------------
- MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT88-SMD, Flat Lead表面贴装表面贴装-7.5A Ta2015Cut Tape (CT)150°C TJ活跃1 (Unlimited)---N-Channel16m Ω @ 7.5A, 4.5V1V @ 1mA1400pF @ 10V20V7.5A---ROHS3 Compliant20 WeeksSILICONe2yes8EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)DUAL260108R-PDSO-F8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING18nC @ 4.5V±10V0.02Ohm30A20V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMH2418R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL | 对比 |
| MCH6437-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6 | 对比 | |
| RQ1C075UNTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8 | 对比 |




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