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首页 全部分类 MTP50P03HDLG vs IPP80N03S4L04AKSA1

MTP50P03HDLG备选型号: IPP80N03S4L04AKSA1

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 端子位置
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    MTP50P03HDLG
    ON Semiconductor
    MOSFET PFET T0220 30V 50A 25mOhm
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    25MOhm
    雪崩 额定
    -30V
    260
    -50A
    40
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    22 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 25A, 5V
    2V @ 250μA
    4900pF @ 25V
    100nC @ 5V
    340ns
    ±15V
    218 ns
    50A
    -1.5V
    TO-220AB
    15V
    30V
    14.478mm
    10.2616mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N03S4L04AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    -
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    超低电阻
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    -
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 45μA
    5100pF @ 25V
    75nC @ 10V
    6ns
    ±16V
    7 ns
    80A
    -
    TO-220AB
    16V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    含铅
    通孔
    OptiMOS™
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    30V
    95 mJ
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