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MUN2216T1G备选型号: MUN2212T1G

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  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 基本部件号
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MUN2216T1G
    ON Semiconductor
    BRT TRANSISTOR, 50V, 4.7KOHM, SC-59 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    50V
    338mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    3
    NPN
    Single
    338mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    4.7 k Ω
    100mA
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN2212T1G
    ON Semiconductor
    Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 230mW; SC59; R1: 22kO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    338mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    3
    NPN
    Single
    338mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    22 k Ω
    100mA
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    250mV
    MUN2212
    22 k Ω
    1.09mm
    2.9mm
    1.5mm
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