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首页 全部分类 MUN5111DW1T1G vs MUN5330DW1T1G

MUN5111DW1T1G备选型号: MUN5330DW1T1G

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  • 额定电流
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  • 引脚数量
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  • 工作电源电压
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最高频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    MUN5111DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    250mV
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    -50V
    250mW
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    MUN51**DW1T
    6
    100mA
    50V
    PNP
    Dual
    250mW
    SWITCHING
    无卤素
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    35 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    50V
    10k Ω
    -100mA
    10k Ω
    900μm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5330DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    250mV
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
    50V
    250mW
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN53**DW1
    6
    100mA
    50V
    NPN, PNP
    Dual
    187mW
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    3 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 5mA, 10mA
    50V
    1k Ω
    100mA
    1k Ω
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    10kHz
    50V
    6V
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