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MUN5212T1G备选型号: MUN5232T1G

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MUN5212T1G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    202mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN52**T
    3
    NPN
    Single
    310mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    50V
    22 k Ω
    100mA
    2.2 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    MUN5232T1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    202mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN52**T
    3
    NPN
    Single
    310mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    15 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    -
    4.7 k Ω
    100mA
    4.7 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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