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MUN5214T1G备选型号: MUN5213T1G

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  • 电压 - 额定直流
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  • 终端形式
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 工作电源电压
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ON Semiconductor
    MUN5214T1G
    ON Semiconductor
    NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
    50V
    202mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN52**T
    3
    100mA
    50V
    NPN
    Single
    202mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    50V
    10 k Ω
    100mA
    47 k Ω
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5213T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    202mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN52**T
    3
    100mA
    50V
    NPN
    Single
    202mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    50V
    47 k Ω
    100mA
    47 k Ω
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
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