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MUN5216DW1T1G备选型号: MUN5315DW1T1G

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  • 触点镀层
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  • 表面安装
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 资历状况
  • ON Semiconductor
    MUN5216DW1T1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - MUN5216DW1T1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 4.7KOHM, SOT-363, FULL REEL
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    50V
    250mW
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN52**DW1T
    6
    100mA
    50V
    NPN
    Dual
    187mW
    SWITCHING
    无卤素
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    50V
    4.7k Ω
    100mA
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5315DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    50V
    250mW
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN53**DW1
    6
    100mA
    50V
    NPN, PNP
    Dual
    187mW
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    -
    10k Ω
    100mA
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    不合格
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 对比
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