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MUN5230T1G备选型号: MUN2230T1G

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  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MUN5230T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    50V
    202mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MUN52**T
    3
    100mA
    50V
    NPN
    Single
    202mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    3 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 5mA, 10mA
    50V
    1 k Ω
    100mA
    1 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    MUN2230T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
    ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    -
    50V
    338mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    -
    3
    100mA
    50V
    NPN
    Single
    230mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    3 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 5mA, 10mA
    -
    1 k Ω
    100mA
    1 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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