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MUN5232DW1T1G备选型号: MUN5213DW1T3G
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 基本部件号
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- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
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- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
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- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
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- 端子表面处理
BRT TRANSISTOR, 50V 4.7K/4.7KOHM, SOT363 - More DetailsACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES650VTape & Reel (TR)2003e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 150V250mW鸥翼260100mA40MUN52**DW1T6100mA50VNPNDual256mWSWITCHING无卤素2 NPN - Pre-Biased (Dual)50V100mA15 @ 5mA 10V500nA250mV @ 1mA, 10mA50V4.7k Ω100mA4.7k Ω无ROHS3 Compliant无铅-- Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks-表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES650VTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99150°C-55°CBUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1-250mW鸥翼未说明-未说明MUN52**DW1T6--NPNDual256mWSWITCHING无卤素2 NPN - Pre-Biased (Dual)50V100mA80 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA-47k Ω-47k Ω-ROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5213DW1T3G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | 对比 |
| MUN5213DW1T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | 对比 |
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