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MUR120-T备选型号: DF02M

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  • 最高工作温度
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
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  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 反向电压(直流电)
  • 直径
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 容差
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 箱码（公制）
  • 箱码（英制）
  • 输出电流
  • 平均整流电流（Io）
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    MUR120-T
    Diodes Incorporated
    MUR120 Series 200 V 1 A Through Hole Super Fast Glass Passivated Rectifier DO-41
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-204AL, DO-41, Axial
    2
    299.994654mg
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    WIRE
    260
    not_compliant
    40
    MUR120
    2
    不合格
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    2μA @ 200V
    875mV @ 1A
    ISOLATED
    1A
    -55°C~150°C
    35A
    1A
    875mV
    200V
    1A
    25 ns
    2μA
    200V
    35A
    25 ns
    200V
    2.72mm
    2.72mm
    5.21mm
    2.72mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DF02M
    ON Semiconductor
    Diode Rectifier Bridge Single 200V 1.5A 4-Pin PDIP Rail
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    4-EDIP (0.300, 7.62mm)
    4
    640mg
    -
    1
    Tube
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    -
    DF02
    -
    -
    Single
    -
    单相
    5μA @ 200V
    1.1V @ 1A
    -
    1.5A
    -
    50A
    -
    1.1V
    -
    1A
    -
    5μA
    200V
    50A
    -
    140V
    -
    3.3mm
    8.51mm
    6.48mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    4-DIP
    -55°C~150°C TJ
    10%
    47nF
    200V
    3.1W
    1.5A
    2012
    0805
    1.5A
    1.5A
    50A
    200V
    939.8μm
    无SVHC
    无
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