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首页 全部分类 MX25U25635FZ2I-10G vs S25FL127SABMFI100

MX25U25635FZ2I-10G备选型号: S25FL127SABMFI100

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  • 数据保持时间
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • 电源电流-最大值
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 并行/串行
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Macronix
    MX25U25635FZ2I-10G
    Macronix
    IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8WSON
    16 Weeks
    表面贴装
    8-WDFN Exposed Pad
    YES
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    MX25xxx35/36 - MXSMIO™
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    8
    CAN BE ORGNISED AS 256 MBIT X 1
    1.65V~2V
    DUAL
    未说明
    1
    1.8V
    1.27mm
    unknown
    未说明
    8
    R-PDSO-N8
    不合格
    2V
    1.8V
    1.65V
    SPI, Serial
    256Mb 32M x 8
    SYNCHRONOUS
    108MHz
    FLASH
    SPI
    64MX4
    4
    30μs, 3ms
    0.00002A
    268435456 bit
    1.8V
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    20
    HARDWARE/SOFTWARE
    2
    8mm
    0.8mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    S25FL127SABMFI100
    Cypress Semiconductor Corp
    Flash Memory 128Mb, 3V, 108Mhz SPI NOR Flash
    13 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    -
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    FL-S
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X 1
    2.7V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3V
    1.27mm
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6V
    3/3.3V
    2.7V
    SPI
    128Mb 16M x 8
    -
    108MHz
    FLASH
    SPI - Quad I/O
    -
    8
    -
    0.0001A
    -
    3V
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    20
    HARDWARE/SOFTWARE
    2
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    表面贴装
    8
    2015
    0.063mA
    8 ns
    1b
    128 Mb
    SERIAL
    85°C
    2.16mm
    无
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