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首页 全部分类 NB3N2302DR2G vs EL8100ISZ

NB3N2302DR2G备选型号: EL8100ISZ

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  • 带宽
  • 增益带宽积
  • 电压增益
  • 电源抑制比
  • -3db 带宽
  • 消费者集成电路类型
  • 高度
  • ON Semiconductor
    NB3N2302DR2G
    ON Semiconductor
    IC FREQ MULTIPLIER ZDB 8SOIC
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    133MHz
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    3.135V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    1
    3.3V
    NB3N2302
    LVCMOS, LVTTL
    8
    3.465V
    3.3/5V
    1
    50mA
    350 ps
    3N
    无卤素
    LVCMOS, LVTTL
    1:2
    基于PLL的时钟驱动器
    有
    No/No
    0.35 ns
    No/Yes
    0.25 ns
    4.9mm
    3.9mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Intersil (Renesas Electronics America)
    EL8100ISZ
    Intersil (Renesas Electronics America)
    IC OPAMP VFB 100MHZ RRO 8SOIC
    -
    表面贴装
    -
    SOIC
    8
    -
    -
    Bulk
    2002
    e3
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    DUAL
    鸥翼
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.4mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5mm
    4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    85°C
    -40°C
    260
    30
    INDUSTRIAL
    1
    5V
    3V
    2mA
    200 V/μs
    90 dB
    1.5μA
    65mA
    800μV
    200000 kHz
    100MHz
    90dB
    100dB
    200MHz
    视频放大器
    1.5mm
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