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首页 全部分类 NB7V58MMNG vs NLAS4783MN1R2G

NB7V58MMNG备选型号: NLAS4783MN1R2G

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  • 无卤素
  • 输入
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  • 差分 - 输入：输出
  • Prop. Delay@Nom-Sup
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 输出的数量
  • 工作电源电压
  • 通道数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 接通延迟时间
  • 电源类型
  • -3db 带宽
  • 通态电阻（最大值）
  • 多路复用器/解复用器电路
  • 断态隔离-标称
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  • 通道电容（CS和CD：开关在断开时的源极和漏极电容）
  • 开关电路
  • 开关时间（Ton, Toff）（最大）
  • 电荷注入
  • 通道间匹配度 (ΔRon)
  • 开关量
  • 开启时间-最大值
  • 关机时间-最大值
  • 电压 - 电源，单路（V±）
  • 正常位置
  • 座位高度(最大)
  • ON Semiconductor
    NB7V58MMNG
    ON Semiconductor
    Clock Multiplexer 1-OUT 16-Pin QFN EP Rail
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-VFQFN Exposed Pad
    16
    7GHz
    -40°C~85°C
    Tube
    GigaComm™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    Multiplexer, Data
    Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
    1.71V~3.6V
    QUAD
    260
    1
    1.8V
    0.5mm
    40
    NB7V58M
    CML
    16
    3.6V
    1
    100mA
    180 ps
    150mA
    7V
    Translator
    无卤素
    CML, LVDS, LVPECL
    2:1
    Yes/Yes
    0.24 ns
    60 %
    950μm
    3mm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NLAS4783MN1R2G
    ON Semiconductor
    Analog Switch, Triple SPDT, High Speed, Low-Voltage, 1 ohm CMOS
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-VFQFN Exposed Pad
    16
    15 ns
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    -
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    -
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    260
    3
    2.7V
    0.5mm
    40
    NLAS4783
    -
    16
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无卤素
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    1.2Ohm
    鸥翼
    6
    3V
    3
    3.6V
    1.65V
    2μA
    25 ns
    Single
    17MHz
    1Ohm
    2:1
    62 dB
    500nA
    5pF
    单刀双掷
    27ns, 20ns
    50pC
    400m Ω (Max)
    BREAK-BEFORE-MAKE
    27ns
    20ns
    1.65V~4.5V
    NC
    1mm
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