您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NCP5338MNR2G vs IRFHM9331TR2PBF

NCP5338MNR2G备选型号: IRFHM9331TR2PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 应用
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 最大输出电流
  • 界面
  • 输出配置
  • 最大电源电流
  • 无卤素
  • 每个通道的输出电流
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 驱动器数量
  • 电源电压1-额定值
  • 高边驱动器
  • 负载类型
  • 特征
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NCP5338MNR2G
    ON Semiconductor
    IC MOSFET DVR HI/LO MOSF 40QFN
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    40-VFQFN Exposed Pad
    40
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    43
    EAR99
    Tin (Sn)
    降压转换器
    4.5V~5.5V
    BOTTOM
    BUTT
    1
    5V
    0.5mm
    40
    S-XBCC-B43
    35A
    PWM
    半桥
    35mA
    无卤素
    40A
    4.5V~20V
    Over Temperature, UVLO
    1
    12V
    YES
    Inductive
    引导电路
    6mm
    6mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM9331TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    Cut Tape (CT)
    2011
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.9972mm
    2.9972mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    PQFN (3x3)
    11A Ta 24A Tc
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    2.8W
    Single
    2.8W
    11 ns
    P-Channel
    10mOhm @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    27ns
    30V
    60 ns
    -11A
    -1.8V
    25V
    -30V
    1.543nF
    96 ns
    14.6mOhm
    10 mΩ
    -1.8 V
    939.8μm
    无SVHC
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH5006TRPBF IRFH5006TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew 对比
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN 对比
IRFHM9331TR2PBF IRFHM9331TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN 对比