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NCP5338MNR2G备选型号: IRFHM9331TRPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 应用
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 最大输出电流
- 界面
- 输出配置
- 最大电源电流
- 无卤素
- 每个通道的输出电流
- 电压-负荷
- 故障保护
- 驱动器数量
- 电源电压1-额定值
- 高边驱动器
- 负载类型
- 特征
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 系列
- 电阻
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
IC MOSFET DVR HI/LO MOSF 40QFNLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)表面贴装表面贴装40-VFQFN Exposed Pad40-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yesObsolete3 (168 Hours)43EAR99Tin (Sn)降压转换器4.5V~5.5VBOTTOMBUTT15V0.5mm40S-XBCC-B4335APWM半桥35mA无卤素40A4.5V~20VOver Temperature, UVLO112VYESInductive引导电路6mm6mm无符合RoHS标准无铅-------------------------------
MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3-活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)--DUAL-----S-PDSO-N5-------------2.9972mm2.9972mm无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON11A Ta 24A TcHEXFET®14.6MOhm1Single增强型MOSFET2.8WDRAIN11 nsP-ChannelSWITCHING10m Ω @ 11A, 20V2.4V @ 25μA1543pF @ 25V48nC @ 10V27ns30V±25V60 ns-11A-1.8V25V24A-30V90A76 mJ150°C1mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew | 对比 |
| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 对比 |
| IRFHM9331TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN | 对比 |
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