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首页 全部分类 NCP5901BDR2G vs AUIRS2128S

NCP5901BDR2G备选型号: AUIRS2128S

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  • 无铅
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  • 最大输出电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 接通时间
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NCP5901BDR2G
    ON Semiconductor
    IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    0°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    4.5V~13.2V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    5V
    未说明
    NCP5901
    8
    不合格
    35V
    12.2mA
    35 ns
    Non-Inverting
    30 ns
    无卤素
    16ns
    11 ns
    16ns 11ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Synchronous
    2
    N-Channel MOSFET
    YES
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2128S
    Infineon Technologies
    IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    High-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    -
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    -
    12V~20V
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    15V
    -
    AUIRS2128S
    -
    -
    -
    -
    275 ns
    Inverting
    275 ns
    -
    130ns
    65 ns
    80ns 40ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    IGBT, N-Channel MOSFET
    -
    5mm
    -
    4mm
    符合RoHS标准
    -
    Automotive, AEC-Q100
    625mW
    600mA
    625mW
    290mA
    0.275 μs
    290mA 600mA
    0.275 μs
    OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    1.5mm
    无SVHC
    无
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