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首页 全部分类 NCV5104DR2G vs IRS2609DSPBF

NCV5104DR2G备选型号: IRS2609DSPBF

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  • 输出电流
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  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NCV5104DR2G
    ON Semiconductor
    IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC
    9 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    0.8V 2.3V
    2010
    Automotive, AEC-Q100
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~125°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    15V
    未说明
    R-PDSO-G8
    不合格
    500mA
    15V
    Non-Inverting
    85ns 35ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    600V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2609DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    Half-Bridge
    1996
    -
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    e3
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    Matte Tin (Sn)
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    15V
    30
    -
    -
    350mA
    -
    Non-Inverting
    150ns 50ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    8
    EAR99
    200Ohm
    625mW
    1
    IRS2609DSPBF
    1
    620V
    2mA
    625mW
    200mA
    1.1 μs
    60 ns
    220ns
    80 ns
    0.2A
    YES
    0.4 μs
    1.5mm
    5mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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