NCV8403STT1G备选型号: PHT11N06LT,135

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
  • 最大电源电压
  • 元素配置
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 接口IC类型
  • 漏源击穿电压
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • HTS代码
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • ON Semiconductor
    MOSFET NCV8403
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    Automotive grade
    -40°C~150°C
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    53mOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    5V
    2.3mm
    NCV8403
    4
    1
    15A
    42V
    Single
    低侧
    1.56W
    Non-Inverting
    14A
    14V
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    42V
    53m Ω
    53mOhm
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    SINK
    6.5mm
    3.5mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
    -
    -
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1998
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    -
    -
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    8541.29.00.95
    未说明
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 5A, 5V
    2V @ 1mA
    1400pF @ 25V
    17nC @ 5V
    55V
    ±13V
    4.9A
    0.04Ohm
    19A
    55V
    60 mJ
    150 pF
    210ns
    125ns
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