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首页 全部分类 NCV8406ASTT1G vs IRLL2705TRPBF

NCV8406ASTT1G备选型号: IRLL2705TRPBF

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  • 基本部件号
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  • 最大输出电流
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  • 输出配置
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 无卤素
  • 额定输入电压
  • 比率-输入：输出
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  • 故障保护
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 特征
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NCV8406ASTT1G
    ON Semiconductor
    Self-Protected Low Side Driver Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    Automotive grade
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    210mOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    1
    2.3mm
    NCV8406
    4
    1
    N-Channel
    7A
    On/Off
    低侧
    不需要
    Non-Inverting
    通用型
    无卤素
    70V
    1:1
    60V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    8.5A
    185m Ω
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    SOURCE
    自动重启
    1.57mm
    6.5mm
    3.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLL2705TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    3.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    40mOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8mm
    6.6802mm
    6.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    逻辑电平兼容
    55V
    260
    3.8A
    30
    R-PDSO-G4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    6.2 ns
    N-Channel
    40m Ω @ 3.8A, 10V
    2V @ 250μA
    870pF @ 25V
    48nC @ 10V
    12ns
    ±16V
    22 ns
    3.8A
    2V
    16V
    5.2A
    55V
    55V
    88 ns
    150°C
    2 V
    无SVHC
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