NDD01N60T4G备选型号: FQD2N60CTF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 电流
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 600V 1.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES33.949996gSILICON1.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET46WDRAIN8 nsN-Channel8.5 Ω @ 200mA, 10V3.7V @ 50μA无卤素160pF @ 25V7.2nC @ 10V5.1ns600V±30V21.3 ns1.5A30V6A600V无符合RoHS标准无铅------------
- MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK-表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3--1.9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016--Obsolete1 (Unlimited)------Single-2.5W-9 nsN-Channel4.7 Ω @ 950mA, 10V4V @ 250μA-235pF @ 25V12nC @ 10V25ns-±30V28 ns1.9mA30V---符合RoHS标准无铅表面贴装QFET®600V1.9A650V18A4V600V2.3mm6.6mm6.1mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD1NK60T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | STD2LN60K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET | 对比 |
![]() | FQD2N60CTF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | 对比 |





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