NDD01N60T4G备选型号: FQD2N60CTF

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 600V 1.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    3.949996g
    SILICON
    1.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    46W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    8.5 Ω @ 200mA, 10V
    3.7V @ 50μA
    无卤素
    160pF @ 25V
    7.2nC @ 10V
    5.1ns
    600V
    ±30V
    21.3 ns
    1.5A
    30V
    6A
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    -
    -
    1.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    9 ns
    N-Channel
    4.7 Ω @ 950mA, 10V
    4V @ 250μA
    -
    235pF @ 25V
    12nC @ 10V
    25ns
    -
    ±30V
    28 ns
    1.9mA
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    QFET®
    600V
    1.9A
    650V
    18A
    4V
    600V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无SVHC
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