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首页 全部分类 NDD02N60ZT4G vs STD2N62K3

NDD02N60ZT4G备选型号: STD2N62K3

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  • 场效应管类型
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 系列
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 晶体管应用
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NDD02N60ZT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V DPAK
    Tin
    YES
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    4
    SILICON
    2.2A Tc
    4.5V @ 50μA
    2006
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4.8Ohm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    57W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    4.8 Ω @ 1A, 10V
    325pF @ 25V
    16nC @ 10V
    7ns
    ±30V
    7 ns
    2.2A
    4.5V
    30V
    600V
    9A
    4.5 V
    6.22mm
    6.73mm
    2.38mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD2N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
    -
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    SILICON
    2.2A Tc
    4.5V @ 50μA
    -
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    3.6Ohm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    -
    8 ns
    N-Channel
    3.6 Ω @ 1.1A, 10V
    340pF @ 50V
    15nC @ 10V
    4.4ns
    ±30V
    22 ns
    2.2A
    3.75V
    30V
    620V
    8.8A
    -
    6.2mm
    6.6mm
    2.4mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    SuperMESH3™
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    STD2N62
    SWITCHING
    85 mJ
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