NDD03N50Z-1G备选型号: NDD04N50Z-1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON2.6A Tc4.5V @ 50μA-55°C~150°C TJTube2010e3yesLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)R-PSIP-T3Single增强型MOSFET58WDRAIN9 nsN-Channel3.3 Ω @ 1.15A, 10V274pF @ 25V10nC @ 10V7ns±30V7 ns2.6A30V0.0033Ohm500V7.62mm6.73mm2.38mm无符合RoHS标准无铅--
- MOSFET N-CH 500V 3A IPAK通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON61W Tc4.5V @ 50μA-55°C~150°C TJTube2010e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)R-PSIP-T3Single增强型MOSFET61WDRAIN9 nsN-Channel2.7 Ω @ 1.5A, 10V308pF @ 25V12nC @ 10V9ns±30V10 ns3A30V0.0027Ohm500V7.62mm6.73mm2.38mm无符合RoHS标准无铅4 Weeks3A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NDD04N50Z-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK | 对比 |


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