NDD03N50ZT4G备选型号: STD3N62K3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 系列
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- MOSFET,N CH,W DIODE,500V,2.6A,DPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES4SILICON2.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR993.3OhmTin (Sn)鸥翼4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET58WDRAIN9 nsN-Channel3.3 Ω @ 1.15A, 10V4.5V @ 50μA329pF @ 25V16nC @ 10V7ns500V±30V7 ns2.6A30V500V2.38mm6.73mm6.22mm无SVHC无符合RoHS标准无铅----------
- MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3SILICON2.7A Tc150°C TJTape & Reel (TR)-e3-活跃1 (Unlimited)2EAR992.5OhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET45W-9 nsN-Channel2.5 Ω @ 1.4A, 10V4.5V @ 50μA385pF @ 25V13nC @ 10V6.8ns-±30V15.6 ns2.7A30V-2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks表面贴装SuperMESH3™26030STD3NSWITCHING3.75VTO-252AA620V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NDD04N50ZT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 500V 3A HV MOSFET DPAK | 对比 | |
![]() | STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | STD3N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK | 对比 |



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