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首页 全部分类 NDD03N80ZT4G vs FQD3N60CTM-WS

NDD03N80ZT4G备选型号: FQD3N60CTM-WS

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 质量
  • 系列
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    NDD03N80ZT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    SILICON
    2.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    40
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    96W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    4.5 Ω @ 1.2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    440pF @ 25V
    17nC @ 10V
    7ns
    800V
    ±30V
    9 ns
    2.9A
    30V
    800V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD3N60CTM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    SILICON
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    3.4 Ω @ 1.2A, 10V
    4V @ 250μA
    565pF @ 25V
    14nC @ 10V
    30ns
    600V
    ±30V
    35 ns
    2.4A
    30V
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    260.37mg
    QFET®
    SWITCHING
    TO-252AA
    9.6A
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