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首页 全部分类 NDD60N900U1-35G vs STU11N65M2

NDD60N900U1-35G备选型号: STU11N65M2

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NDD60N900U1-35G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    360pF @ 50V
    12nC @ 10V
    600V
    ±25V
    5.7A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STU11N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STU11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    -
    ±25V
    7A
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    3.949996g
    MDmesh™ II Plus
    600mOhm
    STU11N
    1
    8.5 ns
    7.5ns
    15 ns
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
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