STMicroelectronics STU9N60M2
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STU9N60M2
2381-STU9N60M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
1最小包装量--
STU9N60M2详情
STMicroelectronics STU9N60M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Turn Off Delay Time
22 ns
Power Dissipation (Max)
60W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A Tc
系列
MDmesh™ II Plus
包装
Tube
操作温度
150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STU9N
元素配置
Single
功率耗散
60W
接通延迟时间
8.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
780m Ω @ 3A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
320pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
7.5ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
13.5 ns
连续放电电流(ID)
5.5A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
宽度
2.4mm
长度
6.6mm
高度
6.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
STU9N60M2拓展信息
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