NDDL01N60Z-1G备选型号: IPU60R1K5CEBKMA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA800mA Ta-55°C~150°C TJTube2004yesObsolete3 (168 Hours)N-Channel15 Ω @ 400mA, 10V4.5V @ 50μA92pF @ 25V4.9nC @ 10V600V±30V800mA符合RoHS标准无铅------------------
- MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3--通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3.1A Tc-40°C~150°C TJTube2015yesDiscontinued3 (168 Hours)N-Channel1.5 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA200pF @ 100V9.4nC @ 10V600V±20V3.1AROHS3 Compliant-343.085929mgSILICONCoolMOS™ CE3R-PSIP-T31Single增强型MOSFETDRAIN8 nsSWITCHING7ns20 ns20V5A8A600V26 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SSU1N60BTU-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK | 对比 | |
![]() | IPU60R2K0C6AKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V TO-251 | 对比 |
![]() | IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3 | 对比 |




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