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首页 全部分类 NDDP010N25AZT4H vs FQD9N25TM-F085

NDDP010N25AZT4H备选型号: FQD9N25TM-F085

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NDDP010N25AZT4H
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    10A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 5A, 10V
    4.5V @ 1mA
    980pF @ 20V
    16nC @ 10V
    26ns
    ±30V
    31 ns
    10A
    30V
    0.42Ohm
    250V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD9N25TM-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET 250V N-Channel QFET
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    7.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    700pF @ 25V
    20nC @ 10V
    105ns
    ±30V
    45 ns
    7.4A
    30V
    -
    250V
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    Automotive, AEC-Q101, QFET®
    EAR99
    260
    30
    55W
    29.6A
    165 mJ
    无
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