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NDF03N60ZH备选型号: NDF02N60ZH

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NDF03N60ZH
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    3.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    9 ns
    N-Channel
    3.6 Ω @ 1.2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    372pF @ 25V
    18nC @ 10V
    8ns
    600V
    ±30V
    10 ns
    3.1A
    TO-220AB
    30V
    12A
    600V
    100 mJ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDF02N60ZH
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    9 ns
    N-Channel
    4.8 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    325pF @ 25V
    16nC @ 10V
    7ns
    600V
    ±30V
    7 ns
    2.4A
    TO-220AB
    30V
    10A
    600V
    120 mJ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    16.12mm
    10.63mm
    4.9mm
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