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NDS351AN备选型号: IRLML9303TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 漏源电压 (Vdss)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 长度
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON1.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003e3yes活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99160MOhm逻辑电平兼容30VDUAL鸥翼未说明1.2A未说明不合格1Single增强型MOSFET500mW3 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1.4A, 10V3V @ 250μA145pF @ 15V1.8nC @ 4.5V8ns±20V8 ns1.2A2.1V20V30V30V150°C2.1 V1.22mm3.05mm无SVHCROHS3 Compliant无铅------
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005e3-活跃1 (Unlimited)3-EAR99165MOhm--DUAL鸥翼-----Single增强型MOSFET1.25W7.5 nsP-ChannelSWITCHING165m Ω @ 2.3A, 10V2.4V @ 10μA160pF @ 25V2nC @ 4.5V14ns±20V8.6 ns-2.3A-1.3V20V-30V---1.3 V1.016mm1.397mm无SVHCROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn)30V12A18 ns3.0226mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN352AP | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN352AP - MOSFET Transistor, P Channel, -1.3 A, -30 V, 0.18 ohm, -10 V, -2 V | 对比 |
| NDS352AP | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3 | 对比 |
| NDS351N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3 | 对比 |
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