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NDS8425备选型号: SI4435DYTRPBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 行间距
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8130mgSILICON7.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)20VDUAL鸥翼7.4ASingle增强型MOSFET2.5W9 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 7.4A, 4.5V1.5V @ 250μA1098pF @ 15V18nC @ 4.5V13ns±8V11 ns7.4A8V0.022Ohm20V1.575mm4.9mm3.9mm无ROHS3 Compliant无铅---------------
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC-12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SILICON8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1999--活跃1 (Unlimited)8EAR99--30VDUAL鸥翼-8ASingle增强型MOSFET2.5W16 nsP-ChannelSWITCHING20m Ω @ 8A, 10V1V @ 250μA2320pF @ 15V60nC @ 10V17ns±20V31 ns-8A20V--30V1.75mm4.9784mm3.9878mm无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTinSMD/SMT20mOhm超低电阻6.3 mm130V-1V8A50A-30V51 ns150°C-1 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4122NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL | 对比 |
| FDS4501H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET SO-8 COMP N-P-CH | 对比 |
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