Infineon Technologies SI4435DYTRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

130 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1999

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

20mOhm

附加功能

超低电阻

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-8A

行间距

6.3 mm

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2320pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

17ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

-8A

阈值电压

-1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

双电源电压

-30V

恢复时间

51 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-1 V

高度

1.75mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free