NDS8435A备选型号: SI4435DY
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- 底架
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- 引脚数
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg7.9A Ta-55°C~150°C TJTube1997Obsolete1 (Unlimited)Single2.5WP-Channel23m Ω @ 7.9A, 10V3V @ 250μA1800pF @ 15V67nC @ 10V20ns30V±20V46 ns-7.9A20V-30V-30V-1.3 V无SVHC符合RoHS标准无铅-----------------------
- Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8130mg8.8A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2001活跃1 (Unlimited)Single2.5WP-Channel20m Ω @ 8.8A, 10V3V @ 250μA1604pF @ 15V24nC @ 5V13.5ns30V±20V25 ns-8.8A20V-30V-30V-1.7 V无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)18 WeeksSILICONPowerTrench®e4yes8SMD/SMTEAR9920MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-30VDUAL鸥翼-8.8A增强型MOSFET16 nsSWITCHING-1.7V1.57mm4.9mm3.9mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4435DY | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 对比 |



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