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首页 全部分类 NDS9933A vs IRF7101TRPBF

NDS9933A备选型号: IRF7101TRPBF

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  • 已出版
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 额定功率
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NDS9933A
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    31 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    900mW
    -2.8A
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    140m Ω @ 2.8A, 4.5V
    1V @ 250μA
    405pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    21 ns
    2.8A
    8V
    -20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7101TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    20V
    2W
    3.5A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    320pF @ 15V
    15nC @ 10V
    10ns
    -
    30 ns
    3.5A
    12V
    20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    8
    SILICON
    HEXFET®
    1997
    e3
    8
    EAR99
    100mOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF7101PBF
    6.3 mm
    Dual
    增强型MOSFET
    7 ns
    SWITCHING
    3V
    14A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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