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首页 全部分类 NDS9952A vs IRF7306TRPBF

NDS9952A备选型号: IRF7306TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 已出版
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NDS9952A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    3.7A 2.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    900mW
    鸥翼
    2.9A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 1A, 10V
    2.8V @ 250μA
    320pF @ 10V
    25nC @ 10V
    21ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    8 ns
    3.7A
    1.7V
    20V
    30V
    15A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.7 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7306TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    100mOhm
    -
    2W
    鸥翼
    -3.6A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    1V @ 250μA
    440pF @ 25V
    25nC @ 10V
    17ns
    -
    18 ns
    -3.6A
    -1V
    20V
    -30V
    14A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    1997
    超低电阻
    -30V
    IRF7306PBF
    6.3 mm
    2
    11 ns
    30V
    80 ns
    150°C
    1.75mm
    4.9784mm
    4.05mm
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