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NE3509M04-T2-A备选型号: PMBFJ175,215
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- 增益
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- 功率 - 输出
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- 电压-测试
- 最小击穿电压
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- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）
- 电阻-RDS(On)
FET RF 4V 2GHZ SOT-343表面贴装SOT-343F4Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-65°C2GHzNE3509125mW10mAHFET60mA3V17.5dB2V11dBm0.4dB2V4V无符合RoHS标准无铅--------------------------------
JFET P-CH 30V 0.3W SOT23-TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)---MBFJ175------------ROHS3 Compliant-表面贴装YESSILICON1150°C TJ1997e33EAR99Tin (Sn)8541.21.00.95DUAL鸥翼260403R-PDSO-G3不合格SINGLEDEPLETION MODE300mWP-ChannelSWITCHING8pF @ 10V VGS125Ohm30VJUNCTION0.3W7mA @ 15V3V @ 10nA30V125Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSR56 | ON Semiconductor | 晶体管 - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| PMBFJ175,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 | 对比 |
| MMBFJ310 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 | 对比 |
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