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首页 全部分类 NE68730-T1 vs 2SC4213BTE85LF

NE68730-T1备选型号: 2SC4213BTE85LF

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • 操作温度
  • 已出版
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • CEL
    NE68730-T1
    CEL
    RF TRANS NPN 3V 11GHZ SOT323
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3V
    Cut Tape (CT)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -65°C
    低噪音
    8541.21.00.75
    90mW
    DUAL
    鸥翼
    unknown
    11GHz
    NE68730
    R-PDSO-G3
    不合格
    Single
    90mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    3V
    30mA
    70 @ 20mA 2V
    11000MHz
    2V
    30mA
    0.8pF
    1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC4213BTE85LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN 20V 0.3A USM
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    20V
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    unknown
    30MHz
    -
    -
    -
    Single
    100mW
    -
    NPN
    NPN
    20V
    300mA
    350 @ 4mA 2V
    -
    25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    16 Weeks
    Silver, Tin
    3
    42mV
    30MHz
    125°C TJ
    2009
    100nA ICBO
    100mV @ 3mA, 30A
    20V
    50V
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