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首页 全部分类 NGTB25N120FL2WG vs IRG7PH35UDPBF

NGTB25N120FL2WG备选型号: IRG7PH35UDPBF

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB25N120FL2WG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 3-Pin TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    385W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    385W
    N-CHANNEL
    2.4V
    50A
    154 ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 25A
    场站
    178nC
    100A
    87ns/179ns
    1.95mJ (on), 600μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    180W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    105 ns
    1200V
    2.2V @ 15V, 20A
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    -
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    1.9V
    3
    180W
    COLLECTOR
    30 ns
    电源控制
    TO-247AC
    45 ns
    400 ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
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